निर्माता भाग संख्या : | FDI3632 | RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
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निर्माता / ब्रांड : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | स्टॉक की स्थिति : | 5696 pcs Stock |
विवरण : | MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB | भेजने का स्थान : | हॉगकॉग |
डाटा शीट : | FDI3632.pdf | शिपमेंट मार्ग : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
भाग संख्या | FDI3632 |
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उत्पादक | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
विवरण | MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 5696 pcs |
डाटा शीट | FDI3632.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 4V @ 250µA |
वीजीएस (मैक्स) | ±20V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | I2PAK (TO-262) |
शृंखला | PowerTrench® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 9 mOhm @ 80A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 310W (Tc) |
पैकेजिंग | Tube |
पैकेज / प्रकरण | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
दुसरे नाम | FDI3632-ND FDI3632FS |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 6000pF @ 25V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 110nC @ 10V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 6V, 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 100V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 100V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 12A (Ta), 80A (Tc) |
MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB
MOSFET N-CH 40V 80A TO-262
MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB
MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA
MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB
MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB