निर्माता भाग संख्या : | FDS8878 |
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RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
निर्माता / ब्रांड : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
स्टॉक की स्थिति : | 60670 pcs Stock |
विवरण : | MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC |
भेजने का स्थान : | हॉगकॉग |
डाटा शीट : | FDS8878.pdf |
शिपमेंट मार्ग : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
भाग संख्या | FDS8878 |
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उत्पादक | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
विवरण | MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 60670 pcs |
डाटा शीट | FDS8878.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.5V @ 250µA |
वीजीएस (मैक्स) | ±20V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | 8-SO |
शृंखला | PowerTrench® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 14 mOhm @ 10.2A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 2.5W (Ta) |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
दुसरे नाम | FDS8878-ND FDS8878TR |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड टाइम | 26 Weeks |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 897pF @ 15V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 26nC @ 10V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4.5V, 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 30V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 30V 10.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 10.2A (Ta) |
MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-SO
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
INTEGRATED CIRCUIT
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC