निर्माता भाग संख्या : | FQP2P40-F080 |
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RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
निर्माता / ब्रांड : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
स्टॉक की स्थिति : | 1250 pcs Stock |
विवरण : | MOSFET P-CH 400V 2A TO-220 |
भेजने का स्थान : | हॉगकॉग |
डाटा शीट : | FQP2P40-F080.pdf |
शिपमेंट मार्ग : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
भाग संख्या | FQP2P40-F080 |
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उत्पादक | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
विवरण | MOSFET P-CH 400V 2A TO-220 |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 1250 pcs |
डाटा शीट | FQP2P40-F080.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 5V @ 250µA |
वीजीएस (मैक्स) | ±30V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220AB |
शृंखला | QFET® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 6.5 Ohm @ 1A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 63W (Tc) |
पैकेजिंग | Tube |
पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 |
दुसरे नाम | FQP2P40_F080 FQP2P40_F080-ND |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 350pF @ 25V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 13nC @ 10V |
FET प्रकार | P-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 400V |
विस्तृत विवरण | P-Channel 400V 2A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220AB |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 2A (Tc) |
MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
MOSFET P-CH 400V 2A TO-220
MOSFET N-CH 900V 2.8A TO-220
MOSFET P-CH 250V 2.3A TO-220
MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220