निर्माता भाग संख्या : | SI4116DY-T1-E3 |
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RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
निर्माता / ब्रांड : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
स्टॉक की स्थिति : | 1768 pcs Stock |
विवरण : | MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC |
भेजने का स्थान : | हॉगकॉग |
डाटा शीट : | SI4116DY-T1-E3.pdf |
शिपमेंट मार्ग : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
भाग संख्या | SI4116DY-T1-E3 |
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उत्पादक | Electro-Films (EFI) / Vishay |
विवरण | MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 1768 pcs |
डाटा शीट | SI4116DY-T1-E3.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 1.4V @ 250µA |
वीजीएस (मैक्स) | ±12V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | 8-SO |
शृंखला | TrenchFET® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 8.6 mOhm @ 10A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
दुसरे नाम | SI4116DY-T1-E3-ND SI4116DY-T1-E3TR |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 1925pF @ 15V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 56nC @ 10V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 2.5V, 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 25V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 25V 18A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 18A (Tc) |
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