निर्माता भाग संख्या : | SI5509DC-T1-GE3 | RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
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निर्माता / ब्रांड : | Electro-Films (EFI) / Vishay | स्टॉक की स्थिति : | 4852 pcs Stock |
विवरण : | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 | भेजने का स्थान : | हॉगकॉग |
डाटा शीट : | SI5509DC-T1-GE3.pdf | शिपमेंट मार्ग : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
भाग संख्या | SI5509DC-T1-GE3 |
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उत्पादक | Electro-Films (EFI) / Vishay |
विवरण | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 4852 pcs |
डाटा शीट | SI5509DC-T1-GE3.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2V @ 250µA |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | 1206-8 ChipFET™ |
शृंखला | TrenchFET® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 52 mOhm @ 5A, 4.5V |
पावर - मैक्स | 4.5W |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | 8-SMD, Flat Lead |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 455pF @ 10V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 6.6nC @ 5V |
FET प्रकार | N and P-Channel |
FET फ़ीचर | Logic Level Gate |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 20V |
विस्तृत विवरण | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.1A, 4.8A 4.5W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 6.1A, 4.8A |
आधार भाग संख्या | SI5509 |
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8