निर्माता भाग संख्या : | SIS334DN-T1-GE3 |
---|---|
RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
निर्माता / ब्रांड : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
स्टॉक की स्थिति : | 6250 pcs Stock |
विवरण : | MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 |
भेजने का स्थान : | हॉगकॉग |
डाटा शीट : | SIS334DN-T1-GE3.pdf |
शिपमेंट मार्ग : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
भाग संख्या | SIS334DN-T1-GE3 |
---|---|
उत्पादक | Electro-Films (EFI) / Vishay |
विवरण | MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 6250 pcs |
डाटा शीट | SIS334DN-T1-GE3.pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.4V @ 250µA |
वीजीएस (मैक्स) | ±20V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | PowerPAK® 1212-8 |
शृंखला | TrenchFET® |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 11.3 mOhm @ 10A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 3.8W (Ta), 50W (Tc) |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | PowerPAK® 1212-8 |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 640pF @ 15V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 18nC @ 10V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4.5V, 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 30V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 30V 20A (Tc) 3.8W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 20A (Tc) |
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212
MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK
MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK