निर्माता भाग संख्या : | IS42RM32800E-6BLI-TR | RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
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निर्माता / ब्रांड : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) | स्टॉक की स्थिति : | 2579 pcs Stock |
विवरण : | IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA | भेजने का स्थान : | हॉगकॉग |
डाटा शीट : | IS42RM32800E-6BLI-TR.pdf | शिपमेंट मार्ग : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
भाग संख्या | IS42RM32800E-6BLI-TR |
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उत्पादक | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
विवरण | IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 2579 pcs |
डाटा शीट | IS42RM32800E-6BLI-TR.pdf |
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ | - |
वोल्टेज आपूर्ति | 2.3 V ~ 3 V |
प्रौद्योगिकी | SDRAM - Mobile |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | 90-TFBGA (8x13) |
शृंखला | - |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | 90-TFBGA |
परिचालन तापमान | -40°C ~ 85°C (TA) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 3 (168 Hours) |
स्मृति के प्रकार | Volatile |
मेमोरी का आकार | 256Mb (8M x 32) |
मेमोरी इंटरफेस | Parallel |
मेमोरी प्रारूप | DRAM |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
विस्तृत विवरण | SDRAM - Mobile Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA (8x13) |
घड़ी आवृत्ति | 166MHz |
अभिगम समय | 5.5ns |
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
स्टॉक मेंIC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
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