निर्माता भाग संख्या : | RS1E200BNTB |
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RoHs स्थिति : | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
निर्माता / ब्रांड : | LAPIS Semiconductor |
स्टॉक की स्थिति : | 540 pcs Stock |
विवरण : | MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP |
भेजने का स्थान : | हॉगकॉग |
डाटा शीट : | RS1E200BNTB(1).pdfRS1E200BNTB(2).pdf |
शिपमेंट मार्ग : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
भाग संख्या | RS1E200BNTB |
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उत्पादक | LAPIS Semiconductor |
विवरण | MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 540 pcs |
डाटा शीट | RS1E200BNTB(1).pdfRS1E200BNTB(2).pdf |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.5V @ 1mA |
वीजीएस (मैक्स) | ±20V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | 8-HSOP |
शृंखला | - |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 3.9 mOhm @ 20A, 10V |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 3W (Ta), 25W (Tc) |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) |
पैकेज / प्रकरण | 8-PowerTDFN |
दुसरे नाम | RS1E200BNTBTR |
परिचालन तापमान | 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
निर्माता मानक लीड टाइम | 40 Weeks |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 3100pF @ 15V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 59nC @ 10V |
FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4.5V, 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 30V |
विस्तृत विवरण | N-Channel 30V 20A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 20A (Ta) |
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP
MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP
MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP
MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP
MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP